时间：2025/6/28 15:12:13
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DMP3130L-7-F 是一款基于沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。其封装形式为 LFPAK56D（也称为 D2PAK），具备良好的散热特性和电气性能。
该器件主要应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域，能够承受较高的电流负载并保持较低的能量损耗。
型号：DMP3130L-7-F
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗(Ptot)：225W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56D (D2PAK)
DMP3130L-7-F 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高电流应用中显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频工作场景，从而提高系统效率。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑且高效的 LFPAK56D 封装设计，改善了散热性能，同时减少了寄生电感的影响。
5. 工作温度范围宽广，适合恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，满足现代电子产品对环保的要求。
DMP3130L-7-F 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
4. LED 驱动器和照明系统中的功率调节组件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类消费类电子产品中的高效电源管理单元。
DMP3030LE-7, IRF3710TRPBF, FDP5500NL
