型号：DMP3098LDM-7-F
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：DFN2020-6 (Super Six Pak)
　　通道数：1（多晶粒集成配置）
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.8A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-14A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@VGS=-10V）；60mΩ（@VGS=-4.5V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：约420pF（@VDS=15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳(θJC)：约25°C/W
　　安装方式：表面贴装(SMT)

DMP3098LDM-7-F采用先进的TrenchFET制造工艺，这一技术显著降低了器件的导通电阻，同时提高了单位面积内的载流能力。其核心优势在于实现了极低的RDS(on)，在VGS=-10V条件下仅为45mΩ，在实际应用中可有效减少导通损耗，提升整体能效，尤其适用于电池供电系统中对功耗敏感的设计需求。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，例如在VGS=-4.5V时RDS(on)仅为60mΩ，这使其能够兼容3.3V或更低的逻辑控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　TrenchFET结构还带来了更快的开关速度和更低的栅极电荷（Qg），从而进一步降低动态开关损耗，提高高频操作下的效率表现。结合较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），DMP3098LDM-7-F在快速切换状态下表现出优异的响应能力和稳定性，适用于高频DC-DC变换器和负载开关应用。此外，器件内部集成了多个MOSFET单元，形成特定的功能组合，如双串联主开关加旁路路径，可用于防止反向电流流动并实现自动旁路或软启动控制，增强了系统的安全性和功能性。
　　DFN2020-6封装具备优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传递至地层或散热层，有效降低结温上升幅度。该封装尺寸紧凑（2.0mm x 2.0mm），非常适合空间受限的高密度布局应用场景。同时，器件经过可靠性验证，具备高抗湿性、耐焊接热冲击能力强，适合回流焊工艺，并满足工业级和消费级产品的长期使用要求。内置的ESD保护二极管也提升了器件在生产、运输和现场使用过程中的抗静电能力，增强了整体鲁棒性。

DMP3098LDM-7-F广泛应用于需要高效电源管理与小型化设计的便携式电子设备中。其典型用途包括移动设备中的电池电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的充电/放电切换控制，能够实现主电源与备用电源之间的无缝切换，并有效阻止电流倒灌现象。在这些系统中，该器件作为高端开关使用，配合控制器实现负载上电时序控制、过流保护及热插拔管理等功能，保障后端电路的安全运行。
　　此外，它也被用于各类DC-DC降压或升压转换器中，作为同步整流或高端开关元件，利用其低导通电阻特性来减少能量损耗，提高转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现突出。在电源冗余设计或多电源选择电路中，DMP3098LDM-7-F可以充当理想二极管控制器的配套开关，替代传统肖特基二极管，实现更低的正向压降和更高的效率，同时避免了反向漏电流问题。
　　在可穿戴设备、物联网终端、无线耳机等对体积和功耗极为敏感的产品中，DMP3098LDM-7-F凭借其小尺寸封装和高集成度优势，成为理想的电源开关解决方案。它还可用于USB Type-C接口的电源开关模块，支持PD协议下的电压切换和电流调节，满足不同设备间的供电协商需求。其他应用场景还包括固态继电器、电机驱动中的保护电路、热插拔电源模块以及各类需要P沟道高端驱动的嵌入式控制系统。

DMG3415U-7
　　AO3401A
　　BSS84