时间：2025/12/26 9:17:08
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DMP3085LSD-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件专为高性能电源管理应用设计，尤其适用于需要紧凑尺寸和高效能的便携式电子设备。其封装形式为双扁平无引脚（DFN）2.5mm x 2.5mm，有助于节省电路板空间，并具备良好的热性能，适合在高密度PCB布局中使用。DMP3085LSD-13广泛应用于负载开关、电池供电系统、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。由于其优化的栅极氧化层设计，能够承受较高的栅源电压（±12V），提升了器件在实际应用中的可靠性与稳定性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.4A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：-16A
导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS = -10V
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压（Vth）：-1V ~ -2V
输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=15V
反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=15V
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：DFN2525-6
DMP3085LSD-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺，在保证小型化的同时实现了优异的电气性能。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V条件下典型值仅为35mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。对于电池供电设备而言，这种低功耗特性尤为重要，有助于延长续航时间。同时，在VGS = -4.5V时RDS(on)为45mΩ，表明该器件即使在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，兼容3.3V或5V逻辑控制电路，增强了系统设计的灵活性。
该器件的额定漏源电压为-30V，适用于多种低压直流电源应用，如笔记本电脑、移动电源、USB充电模块及工业控制单元。其最大连续漏极电流可达-5.4A（25°C），并支持高达-16A的脉冲电流，能够在瞬态负载条件下稳定运行。此外，输入电容Ciss为450pF，反向传输电容Crss为50pF，较小的寄生电容有助于减少开关损耗，提升高频切换应用中的响应速度和能效表现。
DMP3085LSD-13采用DFN2525-6封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB敷铜实现高效散热，从而提高功率处理能力。该封装还具有低热阻特性，确保在高负载工况下结温不会迅速上升，保障长期工作的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的应用需求。所有参数均经过严格测试，并提供完整的数据手册支持，便于工程师进行热分析、开关特性评估和可靠性验证。
DMP3085LSD-13广泛用于各类需要高效、小尺寸P沟道MOSFET的电源管理系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中它可用于控制不同功能模块的上电时序或实现电池反接保护。在DC-DC转换电路中，该器件常作为同步整流器或高端开关使用，凭借其低RDS(on)减少能量损耗，提升转换效率。
此外，DMP3085LSD-13也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中充当低端或高端开关元件，提供快速响应和稳定的电流控制能力。在工业自动化和通信设备中，该MOSFET可用于隔离电源域、实现热插拔功能或构建冗余电源切换机制。得益于其小型DFN封装和优良的热性能，该器件特别适合高密度印刷电路板设计，满足现代电子产品对轻薄化和高性能的双重需求。同时，其±12V栅源电压耐受能力增强了抗干扰性和系统鲁棒性，适用于存在电压波动或瞬态噪声的复杂电磁环境。
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"DMG3415U",
"AO3415",
"SI2301DS",
"FDMC8626",
"BSS84"
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