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DMP3068L-7 发布时间 时间:2025/12/23 19:25:21 查看 阅读:24

DMP3068L-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用DFN5x6封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的电源管理应用。其出色的电气性能和紧凑的封装设计使得它非常适合于空间受限的设计环境。
  这款MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.9A
  导通电阻:14mΩ
  栅极电荷:20nC
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

DMP3068L-7具备极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  它的高开关速度和低栅极电荷使其在高频开关应用中表现优异。
  该器件还拥有优秀的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  由于采用了DFN5x6的小型封装,DMP3068L-7非常适合对空间有严格要求的应用场景。

应用

DMP3068L-7广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
  常见的应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
  2. DC-DC转换器中的功率开关;
  3. 便携式电子设备中的负载开关;
  4. 电机驱动和电池保护电路;
  5. 各类高效能电源管理系统。

替代型号

DMP3068L-7E, DMN3068L-7, DMP3068U-7

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DMP3068L-7参数

  • 现有数量115,047现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)3,000 : ¥0.64943卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)708 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3