您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMP3068L-13

DMP3068L-13 发布时间 时间:2025/7/4 6:33:47 查看 阅读:26

DMP3068L-13是一款N沟道增强型MOSFET,采用DFN5*6-8L封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种电源管理和电机驱动应用。其耐压能力较高,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:13mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=12ns, toff=18ns

特性

DMP3068L-13具有出色的电气性能,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化DFN封装,有助于节省PCB空间。
  4. 较高的雪崩耐量和抗静电能力,提高了系统可靠性。
  5. 工作温度范围宽广(-55°C至+175°C),适应多种环境条件。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器和降压升压电路。
  3. 电池保护与管理电路。
  4. 电机驱动和负载切换。
  5. 汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

DMP3068L-7, DMP3068L-10

DMP3068L-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMP3068L-13参数

  • 现有数量0现货20,000Factory查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.51954卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)708 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3