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DMP3056LDM-7 发布时间 时间:2025/5/23 17:54:36 查看 阅读:17

DMP3056LDM-7 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管,适用于多种开关和负载驱动应用。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-89-7),具有低导通电阻和高开关速度的特点,使其成为高效能电源转换电路的理想选择。
  此晶体管在设计上注重散热性能和电气稳定性,能够承受较高的漏极电流和电压,并具备较低的栅极电荷以减少开关损耗。此外,它还提供良好的热保护功能和抗静电能力。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅源开启电压:2.5V
  总功耗:3.6W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

DMP3056LDM-7 的主要特性包括出色的效率表现、紧凑型封装以及稳健的设计。
  其低导通电阻有助于降低传导损耗,而优化的栅极电荷则提升了动态性能。这种组合使得该器件非常适合用于直流-直流转换器、负载开关以及电机控制等场景。
  同时,SOT-89-7 封装提供了更好的热管理能力,允许更高的输出功率密度。另外,由于支持较宽的工作温度范围,因此可以应用于工业环境或汽车电子领域。

应用

该晶体管广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制系统中。典型的应用实例有:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - 移动设备充电器的负载开关
  - LED 驱动器中的电流调节
  - 电池管理系统中的保护电路
  - 小型电机驱动器中的功率级组件
  这些应用都得益于 DMP3056LDM-7 提供的高性能与可靠性。

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DMP3055LDM-7
  DMP3057LDM-7

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DMP3056LDM-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds722pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP3056LDMDITR