时间：2025/8/2 6:24:38
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DMP3048LSD-13 是一款由 Diodes 公司制造的双沟道功率 MOSFET，专为高效率功率管理应用设计。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在低电压下提供优异的导通性能和较低的开关损耗。其双沟道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET通道，适用于需要高密度功率解决方案的应用场景。
类型：MOSFET（双沟道）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：3.2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
DMP3048LSD-13 MOSFET 提供了多种高性能特性。首先，其双沟道设计极大地节省了PCB空间，并减少了外部元件数量，非常适合空间受限的设计。其次，该器件具有极低的导通电阻，在高电流应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其优化的栅极设计确保了快速开关性能，减少了开关损耗并提高了系统的动态响应能力。
该MOSFET还具有优异的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。采用先进的封装技术，使得散热性能良好，能够在较高环境温度下工作而不影响可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的10V驱动电压，同时具备良好的抗噪声能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
在可靠性方面，DMP3048LSD-13 经过了严格的测试和验证，适用于工业级和汽车级应用。其结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩击穿耐受能力，增强了长期运行的稳定性。
DMP3048LSD-13 主要应用于各类功率管理电路中，如DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED驱动电路以及各类便携式电子设备中的高效电源模块。此外，它也适用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制系统和汽车电子系统中的功率控制部分。
Si8426BDY-T1-E3, FDMF6802A, DMN6024LSD-13
