产品类型：陶瓷电容器
　　电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　封装/尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　端接类型：Ni/Sn（镍阻挡层/锡覆盖）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：X5R陶瓷
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降，典型在16V偏压下保持约40%-60%初始电容值
　　老化特性：X5R材料电容老化率约为每十倍时间2.5%

LDK107BBJ226MA-R作为一款微型高容值MLCC，展现了现代陶瓷电容器技术在小型化与高性能之间的平衡。其核心优势之一是采用了X5R型介电材料，这种材料在较宽的温度范围内（-55°C至+85°C）能够维持相对稳定的电容性能，电容变化率控制在±15%以内，适用于对温漂有一定要求但不极端苛刻的应用场景。相比传统的Y5V或Z5U材料，X5R在温度稳定性方面表现更优，同时又比C0G/NP0这类超稳定材料具备更高的体积效率，因此成为中高电容需求下的理想选择。
　　该器件的22μF电容值在仅1.0mm×0.5mm的微小尺寸内实现，体现了三星电机在薄层介质制备和高精度印刷技术方面的先进水平。然而，由于高介电常数陶瓷材料（如BaTiO3基）的固有特性，此类电容器在施加直流偏压时会出现明显的电容衰减现象。例如，在接近其额定电压16V时，实际可用电容可能仅为标称值的50%左右。因此，在设计电路时必须参考其直流偏压曲线，确保在工作电压下仍能满足去耦或滤波所需的最小电容值。
　　此外，该器件采用镍阻挡层和锡覆盖的端接结构，不仅增强了焊接可靠性，还有效防止了“银迁移”现象的发生，提升了长期使用的稳定性。其表面贴装形式适合自动化贴片工艺，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等高密度组装产品中。需要注意的是，由于其为Ⅱ类陶瓷材料，存在一定的压电效应和声学噪声风险，在敏感音频路径中应谨慎使用或采取软启动措施。整体而言，LDK107BBJ226MA-R是一款兼顾尺寸、容量与成本效益的通用型MLCC，特别适合空间受限且需中等精度电容性能的设计需求。

LDK107BBJ226MA-R主要应用于需要小型化、高可靠性的电子设备中。常见用途包括移动通信设备中的射频模块电源去耦，用于平滑瞬态电流波动并降低电源噪声；在便携式消费电子产品如智能手机、智能手表和TWS耳机中，作为处理器、传感器或无线芯片的旁路电容，提供稳定的局部供电环境；在电源管理电路中，用于DC-DC转换器的输入输出滤波，提升转换效率并减少纹波；在各类嵌入式系统和物联网节点中，作为储能和滤波元件，支持低功耗运行模式下的电压稳定；此外，也可用于工业控制板卡、医疗电子设备以及汽车电子中的非动力域控制系统，满足严苛环境下的长期可靠性要求。由于其具备良好的频率响应和较低的等效串联电阻（ESR），在高频开关电路中表现出色，尤其适合现代高速数字电路的电源完整性设计需求。

GRM155B31C226ME69D
　　CL10B226MP8NNNC
　　CC0201-226_M-CW01