时间：2025/8/2 7:55:12
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DMP3036SSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的双沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率的功率转换和电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。该型号封装为 SOT26（SOT-26），适合需要节省空间的应用场景。
类型：双沟道 MOSFET
配置：共漏极（Common Drain）
漏极电流（ID）：最大 3.7A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 28mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT26（SOT-26）
功率耗散（PD）：1.5W
DMP3036SSS-13 的核心特性包括其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高系统效率。
该器件采用的沟槽式 MOSFET 技术不仅提供了卓越的开关性能，还改善了热管理能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
其双沟道结构允许在一个封装中实现两个独立的 MOSFET 器件，非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等应用。
此外，DMP3036SSS-13 的封装形式（SOT26）体积小巧，适合在空间受限的电路设计中使用，同时具备良好的热传导性能，有助于提高整体系统的可靠性。
该 MOSFET 还具有较高的栅极-源极电压耐受能力（±20V），可以在较宽的驱动电压范围内正常工作，从而提供更灵活的设计选项。
在保护方面，该器件具有良好的抗静电（ESD）能力，适合在工业环境中使用。
DMP3036SSS-13 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理模块、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、同步整流器以及汽车电子系统。
在电源管理模块中，该器件的低导通电阻特性有助于减少能耗并提高效率。
在 DC-DC 转换器中，DMP3036SSS-13 可以作为高效的主开关器件，提供快速的开关响应和较低的传导损耗。
在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制电池充放电路径，确保电池的安全运行。
作为负载开关，DMP3036SSS-13 能够实现快速的开关操作，适用于对响应时间要求较高的应用场景。
在汽车电子系统中，该器件可用于电源管理、LED 照明控制以及电机驱动电路中，提供稳定的性能和较高的可靠性。
Si3442CDV-T1-GE3, DMN6140LVT-13, BSS84LT-TP
