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ZXNB4100JA16TC 发布时间 时间:2025/7/18 15:37:24 查看 阅读:4

ZXNB4100JA16TC 是一款由 Diodes 公司(原 Zetex)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适用于各种电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器等场合。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):8A(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):0.035Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TSSOP

特性

ZXNB4100JA16TC MOSFET 采用先进的沟槽式 MOS 技术,使其在导通状态下的电阻非常低,从而减少了功率损耗并提高了效率。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热性能,适合在高温环境下运行。此外,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,能够在不同的电源管理系统中提供灵活的控制选项。其低导通电阻特性使其在高频率开关应用中表现优异,有助于减小电路尺寸并提高系统效率。
  该器件的封装形式为 TSSOP,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。其栅极驱动电压为 ±20V,确保在各种控制电路中都能稳定运行。ZXNB4100JA16TC 还具有较低的开关损耗,使其在高频应用中能够保持良好的能效表现。此外,其高耐压特性(100V Vds)使得该器件能够应对较高的电压应力,适用于多种中高压功率转换场合。

应用

ZXNB4100JA16TC 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、LED 驱动器以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高电流容量使其成为高效率开关电源(SMPS)和同步整流器的理想选择。此外,该器件也可用于汽车电子、消费类电子产品和工业设备中的功率控制电路。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413, ZXNB4100JA16TC 可以与这些型号进行性能和参数上的对比和替换使用。

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