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DMP3036SFV-7 发布时间 时间:2025/8/2 6:36:26 查看 阅读:19

DMP3036SFV-7 是一款由 Diodes 公司生产的双沟道 N 沟道和 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成电路,封装在紧凑的 8 引脚 SOIC 封装中。该器件设计用于需要高效率和低功耗的应用场景,如电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电池供电设备。DMP3036SFV-7 内部集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET,提供了一种高效的解决方案,减少了外围电路的复杂性和 PCB 占用空间。

参数

类型:MOSFET(N+P 沟道)
  漏源电压(Vds):30V(N 沟道),-30V(P 沟道)
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A(N 沟道),-5A(P 沟道)
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ(N 沟道),55mΩ(P 沟道)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:8 引脚 SOIC

特性

DMP3036SFV-7 具有低导通电阻的特点,使其在高电流应用中具有较低的功率损耗,从而提高了整体效率。该器件的集成设计减少了外围元件的数量,简化了电路设计,并提高了系统的可靠性。N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的组合使其适用于双向功率控制,例如在同步整流和负载开关应用中。此外,该器件支持宽范围的栅极驱动电压,兼容常见的 3.3V 和 5V 控制系统,提高了其在不同设计中的适用性。
  该器件还具有良好的热稳定性和过热保护功能,能够在高负载条件下保持稳定运行。其高耐压能力(30V / -30V)使其适用于多种电源管理应用,包括电池供电系统、便携式电子设备和工业控制系统。8 引脚 SOIC 封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,确保在高电流条件下仍能保持较低的工作温度。

应用

DMP3036SFV-7 广泛应用于电源管理系统、同步整流器、负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备、电机驱动器以及工业自动化控制系统。其高效率和紧凑封装使其特别适用于空间受限且对能效要求较高的便携式电子产品和嵌入式系统。在电池管理系统中,该器件可用于充放电控制和电源路径管理。在工业应用中,它可用于实现高效的电源分配和负载切换。

替代型号

Si7410DP, NDS351AN, FDMF6831CSD

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DMP3036SFV-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥1.69882卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1931 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN