类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-3A
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS = -15V
　　开关时间（开启）：8ns
　　开关时间（关闭）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT26 (SC-74)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　栅极电荷（Qg）：9nC @ VGS = -10V

DMP3035LK3-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具有优异的电学性能和热稳定性。其低导通电阻特性使得在大电流应用中能够显著减少功率损耗，提高系统效率。在VGS=-10V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在标准逻辑电平-4.5V驱动下也能保持60mO的低阻值，这使其非常适合用于电池供电系统中的高效开关控制。器件的阈值电压范围为-1V至-2V，保证了在低电压条件下仍能可靠开启，支持3.3V或5V逻辑接口直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss=320pF）和栅极电荷（Qg=9nC），有助于加快开关速度并降低驱动损耗，特别适用于高频开关场合如同步整流、DC-DC变换器等。同时，快速的开启时间（8ns）和关闭时间（20ns）进一步提升了动态响应能力，减少了开关过程中的交越损耗。SOT26小型封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感和电阻，增强了高频工作的稳定性。
　　在可靠性方面，DMP3035LK3-13具备高达+150°C的最大工作结温，能够在严苛环境下长期稳定运行。其静电放电（ESD）防护能力较强，HBM模型下可达2kV，提升了器件在生产装配和实际使用中的抗干扰能力。此外，该器件无铅、符合RoHS标准，支持绿色电子产品设计。内部结构经过优化，具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，在异常工况下表现出较高的鲁棒性。综合来看，DMP3035LK3-13是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET，适用于对尺寸、效率和可靠性均有较高要求的现代电子系统。

DMP3035LK3-13广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理与信号切换场景。常见用途包括电池供电系统的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护；在移动设备中作为主电源路径的背靠背开关，配合充电管理IC实现充放电隔离。此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，替代传统二极管以降低导通压降，从而提升转换效率，尤其在低输出电压、大电流的应用中优势明显。
　　在通信与接口电路中，该器件可用于USB电源开关、SIM卡或存储卡的电源控制，提供过流保护和软启动功能，防止上电冲击损坏后级电路。在可穿戴设备和物联网终端中，由于其小封装和低静态功耗特性，非常适合用于间歇性工作的传感器模块供电控制，延长电池续航时间。此外，DMP3035LK3-13还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现亮度调节或故障保护。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于小型继电器驱动、电机控制或PLC输入输出模块中的电平切换。由于其具备良好的温度稳定性和抗噪声能力，也可应用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备或传感器供电单元。总体而言，凡是需要小型化、高效率、逻辑电平驱动的P沟道开关应用，DMP3035LK3-13都是一个可靠且经济的选择。

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　　 "DMG3415U",
　　 "AO3415",
　　 "Si3443CDV",
　　 "FDC6320L",
　　 "RTQ2742GB"
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