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DMP3025LK3-13 发布时间 时间:2025/6/25 21:20:35 查看 阅读:8

DMP3025LK3-13是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适合应用于高效能电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。其出色的性能使其成为高效率、小体积设计的理想选择。
  该型号属于Diodes Incorporated公司的产品系列,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:24nC
  总电容:1250pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

DMP3025LK3-13具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 小尺寸PDFN33-8封装,有助于节省PCB空间,实现紧凑型设计。
  6. 可靠的热性能表现,确保长时间稳定运行。

应用

这款MOSFET适用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
  6. 汽车电子中的负载驱动和保护功能。

替代型号

DMP3025LKE-13,DMP3025SK3-13

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DMP3025LK3-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 7.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1678pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.15W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP3025LK3-13DITR