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DMP3021SFVWQ-13 发布时间 时间:2025/8/2 4:54:52 查看 阅读:22

DMP3021SFVWQ-13是一款由Diodes公司生产的双N沟道增强型MOSFET芯片,采用先进的Trench MOSFET技术,适用于高效率功率转换和负载开关应用。该器件采用小型DFN2020封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合用于电池供电设备、DC-DC转换器以及电机控制等场景。

参数

类型:MOSFET
  通道类型:双N沟道
  漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):6A
  导通电阻(RDS(on)):50mΩ(典型值)
  栅极电压(VGS):10V
  封装类型:DFN2020
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

DMP3021SFVWQ-13采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,提供了极低的导通电阻,在6A负载下具有极低的导通损耗,从而提高了系统效率。其高开关速度特性使其适用于高频开关应用,如同步整流和DC-DC转换器。DFN2020封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,能够在高功率密度应用中稳定工作。此外,该器件具有低栅极电荷,有助于降低开关损耗,提高系统能效。内置的双N沟道结构设计简化了外围电路,减少了元件数量,提升了整体可靠性。该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下正常运行,适用于各种便携式设备和工业控制系统。
  DMP3021SFVWQ-13的栅极驱动电压为10V,确保了充分导通,同时其阈值电压较低,能够在较低的控制电压下实现导通,适用于3.3V或5V逻辑电平驱动。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了在高应力条件下的可靠性。由于其出色的电气特性和封装设计,DMP3021SFVWQ-13在功率管理应用中表现出色,适用于电池管理系统、电源管理模块、LED驱动电路以及负载开关控制等场景。

应用

DMP3021SFVWQ-13广泛应用于各类电源管理系统,包括但不限于便携式电子设备的电池保护电路、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制以及工业自动化设备中的功率控制模块。它特别适合需要高效率、小尺寸和高可靠性的应用场景。

替代型号

Si3442DV, TPS2R02F, DMN6024SSS-13, NTR4001PT1G

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DMP3021SFVWQ-13参数

  • 现有数量0现货57,000Factory查看交期
  • 价格1 : ¥5.72000剪切带(CT)3,000 : ¥2.20286卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta),42A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1799 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装,可润湿侧翼
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8(SWP)UX 类
  • 封装/外壳8-PowerVDFN