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DMP3020LSS-13 发布时间 时间:2025/5/15 16:18:51 查看 阅读:1

DMP3020LSS-13是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用PDFN33-8L封装形式。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的开关性能,适用于多种功率转换和负载切换应用场景。其小型化的封装非常适合对空间要求严格的便携式电子设备。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):2.4mΩ
  总栅极电荷:49nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

DMP3020LSS-13的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在降低传导损耗方面表现出色。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,有助于提高效率并减少电磁干扰。
  4. 小型PDFN33-8L封装,节省PCB空间。
  5. 具备优异的热稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。
  6. 栅极驱动兼容性好,易于与逻辑电路集成。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种功率电子领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护和管理电路。
  4. 消费类电子产品中的负载切换。
  5. 电机驱动和控制。
  6. 电信和网络设备中的功率管理模块。
  7. 汽车电子中的负载切换和电源管理单元。

替代型号

DMP3020LSE-13, IRF3710, FDP060N03L

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DMP3020LSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1802pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP3020LSSDITR