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DMP3015LSSQ-13 发布时间 时间:2025/6/5 17:29:59 查看 阅读:9

DMP3015LSSQ-13是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated生产。该器件采用PDFN33-8封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的功率管理应用。
  这款MOSFET设计用于提升效率和减少功耗,在各种电源转换电路中表现优异,例如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装类型:PDFN33-8

特性

DMP3015LSSQ-13具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下保持较低的功耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频开关应用。
  3. 小型化的PDFN33-8封装,有助于节省PCB空间。
  4. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于使用在现代电子产品中。

应用

DMP3015LSSQ-13广泛应用于多种领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 负载开关及电池保护电路。
  4. 电机驱动和逆变器应用。
  5. 消费类电子产品的电源管理系统。
  6. 工业自动化与控制设备中的功率管理模块。

替代型号

DMP3015LSSQ,
  DMP3015LSSQ-7

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DMP3015LSSQ-13参数

  • 现有数量0现货102,500Factory查看交期
  • 价格1 : ¥8.43000剪切带(CT)2,500 : ¥3.92662卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2748 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)