DMP3015LSSQ-13是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated生产。该器件采用PDFN33-8封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的功率管理应用。
这款MOSFET设计用于提升效率和减少功耗,在各种电源转换电路中表现优异,例如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:12A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:19nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ to 150℃
封装类型:PDFN33-8
DMP3015LSSQ-13具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下保持较低的功耗。
2. 高效的开关性能,适合高频开关应用。
3. 小型化的PDFN33-8封装,有助于节省PCB空间。
4. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 内置ESD保护功能,提高器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保且易于使用在现代电子产品中。
DMP3015LSSQ-13广泛应用于多种领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 负载开关及电池保护电路。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 消费类电子产品的电源管理系统。
6. 工业自动化与控制设备中的功率管理模块。
DMP3015LSSQ,
DMP3015LSSQ-7