时间：2025/8/2 8:45:24
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DMP3013SFV-7 是一款由 Diodes 公司生产的双沟道 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 器件，采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件适用于各种功率管理应用，特别是在需要高效能和小尺寸封装的便携式电子产品中表现优异。DMP3013SFV-7 采用 8 引脚的 SOIC 封装，具备良好的热性能和电气性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
类型：双沟道 MOSFET（N 沟道 + P 沟道）
漏源电压（VDS）：30V（N 沟道），-30V（P 沟道）
漏极电流（ID）：5.3A（N 沟道），-4.8A（P 沟道）
导通电阻（RDS(on)）：36mΩ（N 沟道），50mΩ（P 沟道）
栅极电荷（Qg）：14nC（N 沟道），12nC（P 沟道）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8 引脚 SOIC
DMP3013SFV-7 具备多种优异特性，适用于高性能电源管理系统。其 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组合提供了高效的开关性能和较低的导通损耗，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，DMP3013SFV-7 的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适合高频开关应用。其采用的 SOIC 封装不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，确保在高电流条件下依然保持稳定运行。器件符合 RoHS 标准，并具备高可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。
DMP3013SFV-7 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中，包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池保护电路以及各类电源管理模块。由于其双沟道设计和高效能特性，DMP3013SFV-7 在需要同时控制 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的应用中尤为适用，例如在 H 桥电路、双向开关和双向电源转换器中。该器件的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
Si7461DP-T1-GE3, FDMS3610S, DMN3013LFG-13
