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DMP3013SFV-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:39:15 查看 阅读:31

DMP3013SFV-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和负载开关等应用中。该器件采用小型SOT-26封装,适合空间受限的设计需求。DMP3013SFV-13以其高效率、低导通电阻和可靠的性能著称,适用于电池供电设备、便携式电子产品以及DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):3A
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):-12V
  导通电阻(RDS(on)):85mΩ @ VGS = -4.5V,115mΩ @ VGS = -2.5V
  栅极电荷(Qg):9.5nC
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-26

特性

DMP3013SFV-13具备多项优良特性,使其在多种电子应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(RDS(on))在-4.5V和-2.5V栅极电压下分别为85mΩ和115mΩ,有助于减少导通损耗并提高能效。这对于电池供电设备尤为重要,因为降低功耗可以延长电池寿命。
  其次,该MOSFET支持高达3A的漏极电流,适用于中等功率的负载开关和电源管理应用。此外,其最大漏源电压为-20V,允许在较宽的电压范围内工作,适用于多种电源系统。
  该器件还具备良好的热稳定性,能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级和消费类电子产品。
  封装方面,DMP3013SFV-13采用SOT-26封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且具备良好的散热性能。这种封装形式也有助于简化生产制造流程,提高整体设计的灵活性。
  最后,DMP3013SFV-13的栅极电荷(Qg)仅为9.5nC,使得开关速度较快,从而降低开关损耗,适用于高频开关应用。其栅源电压范围为-12V,允许使用标准的电源管理驱动电路进行控制。

应用

DMP3013SFV-13适用于多种电子系统,尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。常见应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)中的电源管理电路,用于控制电池供电系统的负载开关。此外,它也广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及各种低电压高效率电源管理系统。在工业自动化和通信设备中,DMP3013SFV-13也常用于实现高效的功率控制和管理功能。

替代型号

Si2301DS, FDN304P, DMP2014SFV-13

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DMP3013SFV-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)3,000 : ¥1.69881卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta),35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1674 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)940mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8(UX 类)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN