时间：2025/8/2 7:39:15
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DMP3013SFV-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关等应用中。该器件采用小型SOT-26封装，适合空间受限的设计需求。DMP3013SFV-13以其高效率、低导通电阻和可靠的性能著称，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及DC-DC转换器等应用场景。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：-12V
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS = -4.5V，115mΩ @ VGS = -2.5V
栅极电荷（Qg）：9.5nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-26
DMP3013SFV-13具备多项优良特性，使其在多种电子应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）在-4.5V和-2.5V栅极电压下分别为85mΩ和115mΩ，有助于减少导通损耗并提高能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为降低功耗可以延长电池寿命。
其次，该MOSFET支持高达3A的漏极电流，适用于中等功率的负载开关和电源管理应用。此外，其最大漏源电压为-20V，允许在较宽的电压范围内工作，适用于多种电源系统。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。
封装方面，DMP3013SFV-13采用SOT-26封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且具备良好的散热性能。这种封装形式也有助于简化生产制造流程，提高整体设计的灵活性。
最后，DMP3013SFV-13的栅极电荷（Qg）仅为9.5nC，使得开关速度较快，从而降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅源电压范围为-12V，允许使用标准的电源管理驱动电路进行控制。
DMP3013SFV-13适用于多种电子系统，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。常见应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中的电源管理电路，用于控制电池供电系统的负载开关。此外，它也广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及各种低电压高效率电源管理系统。在工业自动化和通信设备中，DMP3013SFV-13也常用于实现高效的功率控制和管理功能。
Si2301DS, FDN304P, DMP2014SFV-13
