时间：2025/5/20 9:25:25
阅读：5
DMP3011SFVW 是一款 N 沣道场效应晶体管（N-MOSFET），由 Diodes 公司生产。该器件采用小型 SOT-26 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换和负载切换应用。DMP3011SFVW 的设计使其成为高效能、高可靠性的功率管理解决方案的理想选择。
该 MOSFET 主要用于消费电子设备、计算机外设、通信设备以及工业控制领域中的低压功率应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：85mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总电容：155pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-26
DMP3011SFVW 提供了出色的性能特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，减少了开关损耗。
3. 高电流处理能力，能够在较大的电流范围内保持稳定运行。
4. 小型化封装（SOT-26），适合空间受限的应用场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 耐热增强设计，能够承受较高的结温。
这款 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和 PWM 控制。
5. 便携式电子设备中的电源管理。
6. 工业控制中的继电器替代方案。
DMN2013UFQ, FDS6670A, BSS138
