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DMP2305UQ-7 发布时间 时间:2025/3/19 18:07:47 查看 阅读:18

DMP2305UQ-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用微型DFN1610-7L封装,具有低导通电阻(Rds(on))和出色的开关性能,适合用于空间受限的应用场合。它广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域,能够提供高效能的功率转换和负载切换功能。
  该型号属于逻辑电平驱动系列,支持较低的栅极驱动电压,从而简化了与现代微控制器或其他低压电路的集成。其卓越的热性能和小型化设计使其成为便携式设备的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:DFN1610-7L (1.6mm x 1.0mm)
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ @ Vgs=4.5V
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):4.1A @ Tc=25°C
  总功耗(Ptot):0.39W @ Ta=25°C
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗并提高效率。
  2. 支持逻辑电平驱动(如3.3V或5V),便于直接与微控制器或数字信号处理器连接。
  3. 小尺寸DFN1610-7L封装,适用于对PCB空间要求严格的场景。
  4. 高浪涌能力,确保在瞬态条件下稳定运行。
  5. 具备优异的开关速度和热稳定性,可满足高性能应用需求。
  6. 提供良好的静电放电(ESD)保护功能,增强器件可靠性。

应用

1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换器。
  2. 电池管理系统的负载开关和保护电路。
  3. 消费类电子产品中的电机驱动和音频放大器控制。
  4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率分配。
  5. 通信设备中的电源管理和接口保护。
  6. 便携式设备的充电管理与功率优化方案。

替代型号

1. DMP2305UF-7(相似规格,不同封装形式)。
  2. AO3400(Alpha & Omega Semiconductor生产,具有类似的Rds(on)和电压等级)。
  3. FDMQ8207(Fairchild Semiconductor产品,具备相同的电气性能但封装为SOT-23)。
  4. SI2302DS(Vishay Siliconix品牌下的同类型号,适用于类似应用领域)。
  注意:在选择替代品时,请务必验证其具体参数是否完全匹配目标设计需求。

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DMP2305UQ-7参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格3,000 : ¥0.90078卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)727 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3