类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：-12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.2A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-6.6A
　　导通电阻RDS(on)：49mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　导通电阻RDS(on)：85mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.9V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = 10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-70)

DMP22M2UPS-13采用了先进的沟道场效应晶体管（TrenchFET）工艺，这种技术通过优化芯片内部的沟道结构，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率。特别是在低电压操作条件下，如电池供电系统中，这一特性尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为49mΩ，在VGS = -2.5V时为65mΩ，表明其具备优异的逻辑电平驱动能力，可以兼容现代微控制器和数字逻辑电路的输出电平，无需额外的电平转换或驱动电路即可实现高效控制。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得其在高频开关应用中表现出色，能够实现快速的开启与关断响应，降低开关过程中的能量损耗。这对于DC-DC转换器、同步整流以及高速负载开关等应用非常有利。同时，其反向传输电容（Crss）较小，有助于减少米勒效应带来的干扰，提升系统的稳定性和抗噪声能力。此外，DMP22M2UPS-13拥有良好的热性能，即使在高电流负载下也能保持稳定的电气特性，结温可达+150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。
　　该器件的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，适用于大规模生产。其引脚布局符合行业标准，方便替代其他同类产品。所有材料均符合RoHS指令要求，并且为无卤素设计，满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。综合来看，DMP22M2UPS-13是一款集高性能、小尺寸、低功耗和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合用于便携式消费类电子产品的电源管理模块中。

DMP22M2UPS-13因其小型封装和优良的电气特性，广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理与信号切换功能。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源路径控制，作为负载开关用于启用或禁用特定子系统以节省功耗；在可穿戴设备如智能手表和健康监测仪中，用于实现低功耗模式下的外设供电管理；在物联网（IoT）传感器节点中，作为主控MCU控制外围模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）上电与断电的开关元件，从而优化整体能耗表现。
　　此外，该器件也常用于低压DC-DC转换器电路中，作为同步整流管或高端开关使用，尤其在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的情况下表现优异。它还可应用于USB供电线路中的过流保护与热插拔控制，防止短路或异常负载对主电源造成影响。在音频信号路由、摄像头模组供电控制、显示屏背光驱动等模拟与混合信号系统中，DMP22M2UPS-13也可作为高性能开关使用，提供低失真和高保真的信号通路切换能力。
　　由于其支持逻辑电平驱动且无需复杂驱动电路，因此非常适合由微控制器GPIO直接控制的应用场景。例如，在嵌入式系统中用于实现多电源域的独立启停控制，或在FPGA、DSP等复杂芯片的电源排序管理中发挥关键作用。总之，凡是需要小型化、高效率、低静态功耗的P沟道功率开关的地方，DMP22M2UPS-13都是一个理想的选择。

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　　 "DMG2301U",
　　 "FDMC8202",
　　 "AO3415",
　　 "SI2301DS",
　　 "BSS84"
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