时间：2025/8/5 4:17:58
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DMP21D5UFD.TCT是一款由Diodes公司生产的双路N沟道增强型功率MOSFET芯片。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供高效率和优异的热性能，适用于高功率密度应用。其封装形式为DFN2020，体积小巧，适合高集成度电路设计。该器件工作电压范围宽，适用于各类电源管理、负载开关、马达驱动等应用。
类型：双路N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.3A（@Vgs=10V）
导通电阻（Rds(on)）：52mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN2020
DMP21D5UFD.TCT具有多项优异特性，首先是其双路N沟道MOSFET结构，使得在同一封装内可以实现两个独立的功率开关，节省PCB空间并提高集成度。采用Trench技术的MOSFET结构使其在导通电阻和开关性能之间达到良好的平衡，有助于提高整体效率。其Rds(on)低至52mΩ，降低了导通损耗，适用于高效率电源设计。
此外，该器件支持高达4.3A的连续漏极电流，在10V栅极驱动电压下性能稳定，适用于中高功率应用。DMP21D5UFD.TCT的工作温度范围较宽，从-55°C至150°C，能够在恶劣环境条件下稳定运行，增强了其在工业级应用中的适用性。其DFN2020封装具有良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，提高了装配效率和可靠性。
该器件还具备良好的静电放电（ESD）保护能力，提高了在实际应用中的耐用性和稳定性。由于其高集成度、低导通电阻和良好的热管理能力，DMP21D5UFD.TCT适用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换器、负载开关以及各种电源管理系统。
DMP21D5UFD.TCT广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理和电池保护电路。其双路MOSFET结构使其适用于H桥马达驱动器、负载开关和电源多路复用器。此外，该器件也常用于DC-DC转换器、同步整流器、LED驱动电路以及工业控制系统中的功率开关。由于其优异的热性能和小型封装，DMP21D5UFD.TCT特别适合对空间和效率要求较高的应用。
DMP21D5UFG-7
DMN21D5UDF
AO4610
BSS138K
