时间：2025/12/26 10:02:41
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DMP2170U-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件主要设计用于电源管理应用中的负载开关、电池供电设备的电源控制以及DC-DC转换器等场合。其小型化的SOT-23封装形式使其非常适合对空间要求较高的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子设备。DMP2170U-7在栅极驱动电压方面表现出良好的兼容性，支持常见的逻辑电平输入，能够在低电压控制系统中高效运行。此外，该MOSFET具备优良的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性，适合工业级应用环境。
DMP2170U-7的关键优势在于其优化的RDS(on)与栅极电荷之间的平衡，使得它在高频开关应用中能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。同时，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其出色的性能参数和紧凑的封装尺寸，DMP2170U-7已成为许多低压功率开关应用中的理想选择之一。
型号：DMP2170U-7
类型：P沟道
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-4.4A
脉冲漏极电流(IDM)：-12A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：52mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
栅极电荷(Qg)：9nC @ VGS = -10V
输入电容(Ciss)：370pF @ VDS = -10V
反向恢复时间(trr)：未指定
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
DMP2170U-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备优异的导通特性和开关响应能力。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为45mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现。这一特性特别适用于电池供电设备中，有助于延长续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其RDS(on)也仅增加至52mΩ，表明该器件在低电压逻辑控制环境下仍能维持良好性能，增强了与微控制器或低压驱动电路的兼容性。
该器件的最大连续漏极电流可达-4.4A，脉冲电流能力高达-12A，能够在瞬态负载条件下提供足够的电流裕量，适用于需要短时大电流输出的应用场景。其栅极电荷Qg为9nC（@VGS=-10V），属于较低水平，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于减少驱动损耗并提高开关频率。输入电容Ciss为370pF，在同类产品中处于合理范围，确保了较快的开关速度和良好的高频响应能力。
DMP2170U-7的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备较强的环境适应能力，可在高温或低温工业环境中稳定运行。器件的阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，确保了可靠的开启与关断控制，避免因噪声干扰导致误动作。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备较好的散热性能，配合合理的PCB布局可实现有效的热管理。综合来看，DMP2170U-7在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种低压功率开关应用的高性能P沟道MOSFET。
DMP2170U-7广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载控制电路。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或安全关断。在DC-DC转换器中，该器件常被用作同步整流或高端开关元件，利用其低RDS(on)特性来降低转换过程中的能量损耗，从而提高电源转换效率。此外，它也适用于USB电源开关、充电管理电路以及各类低电压逻辑电平转换电路中，作为高效的P沟道开关使用。
在工业控制领域，DMP2170U-7可用于小型传感器模块、PLC输入输出接口或嵌入式控制器的电源管理部分，提供可靠的电源隔离与通断控制。由于其具备良好的温度稳定性，也可部署于环境条件较为严苛的户外或车载电子系统中。在消费类电子产品如智能手表、无线耳机、电子书阅读器等设备中，该器件凭借其小尺寸封装和低功耗特性，成为实现紧凑设计和长续航的关键组件。此外，DMP2170U-7还可用于LED驱动电路中的开关控制，特别是在需要恒流调节或调光功能的小功率照明系统中发挥重要作用。总体而言，该器件因其高集成度、高效率和高可靠性，已成为众多低压功率管理方案中的优选器件之一。
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"DMG2170U-7",
"AO3415",
"SI2301",
"FDD8856",
"BSS84"
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