时间：2025/4/30 20:05:30
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DMP2165UW是一款N沟道增强型MOSFET，由Diodes Incorporated制造。该器件采用先进的工艺技术设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换应用。其封装形式为UFQFN2x2-8L，适合高密度布局的电路设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：7nC
总电容（输入电容）：100pF
工作温度范围：-55℃至150℃
DMP2165UW具备以下特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗。
3. 小尺寸UFQFN2x2-8L封装使其非常适合空间受限的应用。
4. 高可靠性和稳定性，能够在恶劣环境下正常工作。
5. 具备良好的热性能，有助于提高整体系统效率。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护电路。
5. 各种消费类电子产品的负载开关。
DMP2027UW, DMP2039UW
