类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-2.8A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-8.4A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ（VGS=-10V）
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ（VGS=-4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：95mΩ（VGS=-2.5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF（VDS=15V）
　　输出电容(Coss)：240pF（VDS=15V）
　　反向传输电容(Crss)：60pF（VDS=15V）
　　栅极电荷(Qg)：7.5nC（VGS=-10V）
　　体二极管反向恢复时间(trr)：24ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

DMP2130L-7采用先进的沟道工艺与优化的封装设计，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=-10V条件下RDS(on)仅为55mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源开关或负载管理模块，有助于延长设备续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压下（如-4.5V或-2.5V），其RDS(on)仍保持在较低水平（分别为65mΩ和95mΩ），这表明该器件对逻辑电平信号具有良好的兼容性，可在3.3V或5V控制系统中直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的输入电容（Ciss=420pF）和栅极电荷（Qg=7.5nC），能够在高频开关应用中减少驱动损耗并提升动态性能。此外，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=24ns），有助于降低开关过程中的能量损耗，尤其在存在感性负载或需要快速关断的应用中表现出色。DMP2130L-7的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级及消费类电子产品。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，而且具备良好的散热性能，结合芯片内部的热优化设计，可在有限的空间内有效散发热量。器件还具备良好的抗静电能力（HBM ESD耐压±2000V），增强了在生产装配和实际使用过程中的鲁棒性。总体而言，DMP2130L-7凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低功耗、高效率电源管理系统中的理想选择之一。

DMP2130L-7广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理与开关控制场景。典型用途包括移动设备中的电池供电路径切换，例如在主电池与备用电源之间进行自动切换，或者在充电与放电模式间进行隔离控制。由于其P沟道结构特性，特别适合用于高边开关（High-side Switch）配置，能够通过简单的逻辑信号实现电源通断控制，而无需复杂的驱动电路，从而简化系统设计并降低成本。该器件也常被用于负载开关模块，为不同的子系统（如显示屏、无线模块、传感器等）提供独立的上电时序控制和过流保护功能。
　　在DC-DC转换器电路中，DMP2130L-7可用于同步整流或作为控制开关元件，提高转换效率并减少发热。此外，它还可用于防止反向电流流动的防倒灌电路（Reverse Polarity Protection），在电源插拔或电池更换过程中保护后级电路免受损坏。在热插拔应用中，该MOSFET可实现平滑的电源接入，避免浪涌电流冲击系统总线。由于其封装尺寸小且性能稳定，DMP2130L-7也常见于可穿戴设备、物联网终端、智能家居控制器、USB供电设备以及各种嵌入式系统中，承担电源管理单元的关键角色。

[
　　 "DMG2301U",
　　 "SI2301ADS",
　　 "AO3401A",
　　 "FDD94N15",
　　 "BSS84"
　　]