时间：2025/5/13 14:03:44
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K4T1G044QQ-HCE6 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片，广泛应用于台式机、笔记本电脑和服务器等设备中。该型号采用先进的制程工艺制造，具备高带宽、低功耗的特性，支持 JEDEC 标准，适用于构建高性能计算系统。
这款内存芯片内部采用了 8Gb 容量设计，通过组合多颗芯片可实现更大容量的内存模组，例如 8GB 或 16GB 的 DIMM 或 SO-DIMM 模块。
类型：DDR4 DRAM
容量：8Gb (1GB)
电压：1.2V
速度：3200Mbps
封装：BGA 78-ball
I/O 标准：1.2V DDR4
组织结构：512M x 8
温度范围：-40°C 至 +95°C
工作频率：3200MT/s
K4T1G044QQ-HCE6 提供了出色的性能表现和稳定性。其主要特性包括：
1. 高速传输：支持高达 3200Mbps 的数据传输速率，满足现代应用对带宽的需求。
2. 低功耗设计：采用 1.2V 电压标准，相比前代 DDR3 芯片降低了功耗。
3. 先进工艺：基于三星领先的半导体技术制造，提升了可靠性和效率。
4. 广泛兼容性：遵循 JEDEC DDR4 标准，确保与主流主板及系统的兼容性。
5. 稳定性：经过严格的测试流程，保证在各种工作环境下的稳定运行。
K4T1G044QQ-HCE6 主要应用于需要高性能内存支持的场景，包括但不限于：
1. 台式电脑：用于构建高效能的游戏主机或工作站。
2. 笔记本电脑：为轻薄型笔记本提供足够的内存支持。
3. 服务器：适合数据中心或企业级服务器使用，以提高数据处理能力。
4. 工业计算机：在工业自动化和嵌入式系统中作为核心存储部件。
5. 数据密集型应用：如人工智能、大数据分析等领域，能够有效加速数据读取和处理过程。
K4T1G164QF-HCJ1
K4T1G084QB-HCK1
K4T8G164QH-HCQ1
