类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -4.5V：95mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -2.5V：130mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -1.8V：180mΩ
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：260pF
　　输出电容（Coss）：120pF
　　反向传输电容（Crss）：30pF
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC
　　体二极管正向电压（VSD）：-0.8V
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (TO-236)
　　安装类型：表面贴装

DMP2123LQ-7采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了超低导通电阻与快速开关响应的结合，特别适合用于电池供电的便携式设备中的电源开关和负载管理应用。
　　其关键特性之一是具备出色的RDS(on)性能，在VGS = -4.5V时最大仅为95mΩ，而在更低的逻辑电平驱动如-2.5V或-1.8V下仍能维持较低的导通损耗，分别为130mΩ和180mΩ，这意味着它可以高效地用于3.3V甚至1.8V逻辑系统的直接控制，无需额外的电平转换或驱动电路，从而简化了设计复杂度并节省PCB空间。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg = 3.5nC），有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频操作下的能效表现。同时，输入电容（Ciss）为260pF，输出电容（Coss）为120pF，反向传输电容（Crss）仅30pF，这些参数表明其具有良好的高频响应能力和较小的米勒效应，有利于防止误触发和振荡问题，提高系统稳定性。
　　此外，DMP2123LQ-7的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，属于典型的逻辑电平兼容范围，使其能够被常见的微控制器GPIO引脚直接驱动，进一步增强了其在嵌入式系统中的适用性。
　　热性能方面，尽管采用的是小型SOT-23封装，但通过优化芯片结构和封装材料，该器件仍可在-55°C到+150°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的环境要求。其最大功耗为300mW，适用于轻载功率切换场景。
　　总体而言，DMP2123LQ-7以其小尺寸、低导通电阻、逻辑电平兼容性和高可靠性，成为现代高集成度电子产品中理想的P沟道MOSFET选择。

DMP2123LQ-7主要用于便携式电子设备中的电源管理功能，例如作为电池供电系统的负载开关、电源路径控制、反向电流阻断以及待机模式下的电源隔离。
　　常见应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和健身追踪器）、蓝牙耳机和其他物联网终端设备，在这些产品中需要高效的低电压开关来延长电池寿命并减小PCB占用面积。
　　此外，它也适用于各类信号切换电路，比如音频通道选择、I2C总线多路复用时的电平隔离，以及数字信号的方向控制。
　　由于其支持逻辑电平驱动，常被用于微控制器与外围设备之间的接口驱动，替代传统机械继电器或双极性晶体管，实现更快速、更可靠的固态开关功能。
　　在电源冗余设计中，DMP2123LQ-7可用于构建理想的二极管电路，以自动选择主辅电源，避免外部二极管带来的压降损耗。
　　该器件也可用于DC-DC转换器中的同步整流辅助电路、LED背光驱动的使能控制、USB端口的过流保护开关等功能模块中。
　　得益于其SOT-23封装的小型化特点，非常适合高密度表面贴装生产工艺，适用于自动化大规模制造流程，广泛服务于消费电子、工业控制、通信模块和汽车电子中的非动力域子系统等领域。

DMG2302UK-7
　　AO3415
　　FDS6670A
　　BSS84