时间：2025/5/10 14:45:02
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DMP2123L是一款N沟道增强型MOSFET，适用于广泛的电源管理应用。其设计采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效提升效率并减少热量产生。该器件非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
漏源极击穿电压：30V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：480pF
工作温度范围：-55°C至150°C
DMP2123L具备以下主要特性：
1. 超低导通电阻确保高效运行。
2. 快速开关速度降低了开关损耗。
3. 小型封装节省了PCB空间。
4. 高可靠性及宽温度范围适应性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款MOSFET被广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各类便携式电子产品的电源管理。
3. DC-DC转换器的设计与实现。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 电池管理系统中的保护功能。
DMP2023UFG,DMP2123U
