类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：-8V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：60mΩ @ Vgs = -2.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-0.5V ~ -1V
　　输入电容（Ciss）：230pF @ Vds = 10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds = 10V
　　输出电容（Coss）：200pF @ Vds = 10V
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关闭时间（Toff）：约25ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　安装类型：表面贴装

DMP2110U-7具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合，使其在低电压、低功耗应用中表现出色。该器件的Rds(on)典型值仅为45mΩ（在Vgs = -4.5V条件下），这意味着在导通状态下能量损耗极小，有助于提高整体系统的能效，延长电池使用寿命。同时，由于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，DMP2110U-7在保持低Rds(on)的同时还实现了较小的芯片尺寸，进一步优化了封装效率。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.5V至-1V，确保在低电压控制信号下也能可靠开启，特别适合由微控制器GPIO直接驱动的应用场景。例如，在单片机控制的电源开关电路中，仅需3.3V甚至更低的逻辑电平即可充分导通MOSFET，避免了额外驱动电路的需求，降低了系统复杂性和成本。此外，其输入电容仅为230pF，使得栅极驱动所需的充电能量较少，有利于高频开关操作，减少开关延迟和动态损耗。
　　DMP2110U-7还具备良好的热性能，SOT-23封装虽然体积小巧，但在适当的PCB布局下仍能有效散热，支持持续1.8A的漏极电流。器件的最大结温可达+150°C，并内置了热关断保护机制，防止因过热导致永久性损坏。其反向传输电容（Crss）仅为50pF，有助于抑制米勒效应，提升高频开关时的抗干扰能力，降低误触发风险。此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力，HBM模型下的ESD耐压可达±2kV，提升了在装配和使用过程中的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，DMP2110U-7采用可靠的背面金属化技术和高质量的引线键合工艺，确保长期使用的机械稳定性和电气连接可靠性。所有生产流程均符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求，虽非正式车规型号，但其品质足以满足工业级和消费类严苛环境的应用需求。综合来看，DMP2110U-7凭借其低Rds(on)、低Vgs(th)、小封装、高可靠性等特性，成为众多低功率开关应用的理想选择。

DMP2110U-7广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关或高端开关使用。常见应用场景包括便携式消费电子产品中的电池电源管理，例如智能手机和平板电脑中的外设供电控制，通过微控制器信号控制MOSFET的通断，实现对摄像头、传感器、显示屏背光等模块的独立上电与断电，从而达到节能目的。
　　在DC-DC转换器中，DMP2110U-7可用于同步整流或高端开关配置，特别是在降压（Buck）变换器中作为主开关元件之一，配合N沟道MOSFET使用，提升转换效率。此外，它也常用于电压反接保护电路，当电池或电源极性接反时，P沟道MOSFET因其体二极管方向特性可阻止反向电流流通，起到自动保护后级电路的作用。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，DMP2110U-7被用于实现“软启动”功能，通过控制栅极电压缓慢上升来限制浪涌电流，防止电源电压跌落影响其他电路正常工作。它还可用于多电源系统中的电源切换，比如在主电源与备用电池之间进行无缝切换，保障系统持续运行。
　　其他典型应用还包括LED驱动开关、USB电源开关、电机启停控制、继电器驱动缓冲级以及各类模拟开关电路。由于其SOT-23小型封装，特别适合空间受限的高密度PCB设计，是现代小型化电子设备中不可或缺的功率开关元件。

DMG2301U-7
　　DMP2008U-7
　　Si2301DS
　　FDML8218