类型：功率 MOSFET
　　沟道类型：P沟道 + N沟道组合
　　漏源电压(Vds)：最大20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：P沟道-4A，N沟道5A
　　导通电阻(Rds(on))：P沟道 48mΩ，N沟道 34mΩ @Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TDFN-8
　　安装方式：表面贴装

DMP210DUFB4.TCT 是一款专为高性能功率转换系统设计的集成式双沟道 MOSFET。该器件结合了 P 沟道与 N 沟道 MOSFET 的优势，在一个封装中实现高效的双向功率控制能力。其低导通电阻（Rds(on)）特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。例如，P沟道MOSFET的Rds(on)为48mΩ，而N沟道MOSFET的Rds(on)为34mΩ，在4.5V的栅源电压下表现尤为优异。此外，该器件具备快速开关能力，适合高频操作，有助于减小外围电路中的电感和电容体积，从而实现更高的功率密度。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了载流子流动路径，提高了电流密度和热稳定性。在实际应用中，这种设计有助于降低芯片温度，提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从2.5V到12V的多种电源管理设计，使其在多种应用中具有良好的兼容性。对于便携式电子设备和电池供电系统来说，这种低电压驱动能力能够有效降低功耗并延长电池寿命。
　　为了确保在高电流和高频率工作条件下的稳定运行，DMP210DUFB4.TCT 采用了低电感的TDFN-8封装形式。这种封装不仅减小了寄生电感，还提供了良好的热管理性能，有助于将热量快速散发至PCB板上。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素材料设计，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

DMP210DUFB4.TCT 主要应用于需要高效功率管理的场合。例如，在同步整流型DC-DC转换器中，该器件的P沟道与N沟道MOSFET可以协同工作，以实现高效的升压或降压功能。此外，它还广泛用于负载开关电路，例如在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中作为电源切换控制元件。由于其高开关速度和低导通电阻，该器件也常用于电机驱动器和H桥电路中，以提供精确的转速和方向控制。另外，在电池管理系统中，它可以作为保护开关，用于防止过电流、短路等故障情况。工业自动化设备、通信电源和LED驱动电路也是其典型应用领域。

Si7410DP-T1-GE3, NTR4501P-T1-F, DMP210DUK3Q