型号：DMP2104V-7
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS = -1.8V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：320pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：6ns
　　关断延迟时间(td(off))：14ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：250°C/W

DMP2104V-7具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现突出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在不同栅极驱动电压下均保持良好水平，例如在-4.5V VGS时仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。尤其是在电池供电设备中，这种低损耗特性有助于延长续航时间。其次，该器件具有较低的栅极阈值电压，典型值约为-1V，意味着即使在1.8V或3.3V逻辑控制信号下也能实现充分导通，非常适合现代低电压数字控制器直接驱动，避免了额外电平移位电路的需求，节省了布板空间和物料成本。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。DMP2104V-7的开启延迟时间为6ns，关断延迟时间为14ns，配合较低的输入电容（Ciss为320pF），可在高频开关应用中实现高效的动态性能。这对于需要频繁启停的负载开关或DC-DC转换器中的同步整流部分尤为重要。此外，SOT-23封装虽然体积小巧（仅2.9mm x 1.3mm），但通过优化内部引线结构和芯片布局，实现了良好的散热性能和机械可靠性，能够在有限的空间内承受一定的电流负载。
　　该器件还具备较强的抗瞬态能力，最大脉冲漏极电流可达-12A，适用于短时过载或启动冲击电流较大的场合。同时，其栅源电压额定值为±8V，提供了足够的安全裕度，防止因电压波动导致的栅氧化层击穿。工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在严苛环境条件下仍能稳定运行。综合来看，DMP2104V-7凭借低RDS(on)、低VGS(th)、快速开关、小封装和高可靠性等多重优势，成为众多消费类电子和工业控制应用中的理想选择。

DMP2104V-7广泛应用于各类需要高效、小型化功率控制的电子系统中。最常见的用途之一是作为负载开关，用于控制电源路径的通断，例如在移动设备中管理显示屏、摄像头模块或无线通信单元的供电。通过微控制器的GPIO信号即可直接驱动该MOSFET，实现对子系统的上电/断电控制，从而有效降低待机功耗，提升能源利用效率。此外，它也常用于电池供电系统的反向连接保护和充电管理电路中，防止电流倒灌损坏电源或充电IC。
　　在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机中，DMP2104V-7因其SOT-23小型封装而特别受欢迎，能够在高度集成的主板上节省宝贵的空间。它还可用于信号路径切换，比如音频通道选择或多路传感器供电切换，凭借其低导通电阻和快速响应能力，确保信号完整性不受影响。在低压DC-DC转换器拓扑中，该器件可作为高端开关或同步整流管使用，尤其适合非隔离式降压变换器中的P沟道高端驱动配置。
　　工业与物联网领域中，DMP2104V-7也被用于传感器节点、无线模块和嵌入式控制器的电源管理单元。其宽温工作范围和高可靠性使其适应各种环境条件。此外，由于其符合RoHS标准且不含铅，满足现代电子产品对环保法规的要求，因此在出口型产品设计中也具有明显优势。总之，凡是在20V以下电压系统中需要实现高效、紧凑、低成本的功率开关功能时，DMP2104V-7都是一个极具竞争力的解决方案。

DMG2304L-7
　　AO3415
　　FDS6670A
　　BSS84