时间：2025/8/2 9:50:21
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DMP2040USD-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 8 引脚 SOIC 封装。这款器件设计用于需要高效能和紧凑布局的应用场合，例如电源管理和负载开关控制。DMP2040USD-13 提供了低导通电阻（RDS(on)）以及高电流处理能力，以满足现代电子设备对效率和性能的严格要求。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS)：40V
栅源电压 (VGS)：±20V
漏极电流 (ID)：10A
导通电阻 (RDS(on))：24mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：8-SOIC
DMP2040USD-13 的关键特性之一是其双 N 沟道 MOSFET 设计，允许在单个封装中实现两个独立的功率开关。该器件具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。例如，在栅源电压为 10V 时，RDS(on) 的最大值为 24mΩ，从而降低了导通状态下的功耗。
DMP2040USD-13 的漏极电流额定值为 10A，适用于中高功率应用。该器件还具有宽泛的栅源电压范围（±20V），使其能够适应不同的驱动电路设计。此外，其 40V 的漏源电压额定值确保了在多种电源管理场景中的可靠运行。
采用 8 引脚 SOIC 封装，DMP2040USD-13 在提供高性能的同时，也具备良好的空间利用率，适合在空间受限的设计中使用。这种封装形式还提供了良好的热性能，有助于在高电流操作时保持器件的稳定性。
此外，DMP2040USD-13 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应了广泛的环境条件，使其能够在严苛的工业和汽车应用中可靠运行。
DMP2040USD-13 常用于电源管理系统，例如直流-直流转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。由于其双 MOSFET 设计，它也适用于需要多个功率开关的电路，如 H 桥驱动器和电机控制应用。此外，该器件适用于需要高效率和高可靠性的消费电子和工业设备，例如笔记本电脑、平板电脑、服务器和通信设备。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为优化能效和减小电路尺寸的理想选择。
Si7461DP, AO4406A, IRF7413
