时间：2025/12/26 9:12:50
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DMP2035UTS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型化表面贴装SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为低电压、低功耗应用设计，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够实现高效的电源开关与信号控制功能。DMP2035UTS-13在电池供电系统中表现出色，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他消费类电子产品中的负载开关、电源管理模块和电平转换电路。该MOSFET支持逻辑电平驱动，可在较低的栅源电压下完全导通，从而与现代低电压微控制器和数字IC兼容。其SOT-23封装不仅节省PCB面积，还具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
脉冲漏极电流（IDM）：-5.7A
导通电阻RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻RDS(on)：60mΩ（@ VGS = -2.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：220pF（@ VDS = -10V）
开关时间（开启）：7ns
开关时间（关闭）：15ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23
DMP2035UTS-13具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的平衡设计，使其在高效率电源管理应用中表现优异。该器件的RDS(on)在-4.5V栅压下仅为45mΩ，在-2.5V时也仅为60mΩ，表明其能够在低电压控制系统中有效减少功率损耗，提高整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的导通损耗意味着更长的续航时间。同时，该MOSFET的栅极电荷（Qg）典型值约为3.5nC，较低的Qg有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而提升系统响应能力。
另一个关键特性是其优异的热性能。尽管封装尺寸小（SOT-23），但DMP2035UTS-13仍能在高温环境下稳定工作，最大结温可达+150°C，确保在紧凑布局或高环境温度条件下仍具备足够的安全裕度。此外，该器件具有较低的输入电容（Ciss=220pF），有助于减少高频噪声耦合，提升开关过程中的稳定性。
器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳健的制造工艺，增强了在实际生产与使用过程中的耐用性。其阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，保证了稳定的开启行为，避免因阈值漂移导致误动作。总体而言，DMP2035UTS-13凭借其小型化、高效能、高可靠性的特点，成为现代便携式电子设备中理想的P沟道MOSFET选择。
DMP2035UTS-13广泛应用于各类低电压、低功耗电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关或反向极性保护元件。常见应用场景包括移动设备中的电池电源管理，如智能手机和平板电脑中的副电源域控制、外设供电使能等。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外电平转换或驱动电路，简化了设计复杂度。
此外，该器件常用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及LDO稳压器的通断控制。在便携式医疗设备、智能手表、无线耳机等可穿戴产品中，DMP2035UTS-13被用于实现精细化的电源分区管理，以延长待机时间。它也可用于I2C、SPI等通信总线的电平转换电路中，作为上拉侧的主动开关，防止总线冲突和漏电问题。
工业领域的小型传感器模块、IoT节点设备以及USB接口的过流保护和热插拔控制也是其典型应用方向。得益于SOT-23封装的小尺寸和良好散热性能，DMP2035UTS-13非常适合高密度PCB布局，尤其是在追求微型化和轻薄化的产品设计中发挥重要作用。
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"DMG2305UX",
"FDMC8200",
"SI2301DS",
"NTR1P02LT1G",
"AO3415"
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