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DMP2022LSS-13 发布时间 时间:2025/7/12 19:46:07 查看 阅读:9

DMP2022LSS-13 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 DPAK 封装形式。该器件适用于高效率、高频开关应用场合,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理模块等。其低导通电阻 (Rds(on)) 和优秀的开关性能使其在功率转换领域具有广泛的应用价值。
  该器件由 Diodes 公司生产,设计用于满足工业和消费电子领域的高性能需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:3.5mΩ
  总栅极电荷:38nC
  输入电容:1350pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DMP2022LSS-13 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(典型值为 3.5mΩ),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持高达 45A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷和输出电容,适合高频应用。
  4. 增强的热性能,得益于 DPAK 封装形式,能够有效散除热量。
  5. 工作温度范围宽广,可在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  7. 优异的雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。

应用

这款 MOSFET 可应用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关管。
  2. 降压或升压型 DC-DC 转换器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和储能设备中的功率调节。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
  DMP2022LSS-13 凭借其高效能和可靠性,在需要大电流和低损耗的场景中表现尤为突出。

替代型号

DMP2022UFDF-13, IRF2807Z

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DMP2022LSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2444pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP2022LSS-13-NDDMP2022LSS-13DITR