DMP200K-7是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TO-252(DPAK)封装。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和出色的开关性能,适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源适配器等。它在高频开关应用中表现出色,能够显著提高效率并降低功耗。
该MOSFET的栅极阈值电压较低,便于使用逻辑电平信号直接驱动,从而简化了电路设计。同时,其高雪崩能量能力使其能够在恶劣的工作条件下提供可靠的保护。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):4.8A
导通电阻(Rds(on)):120mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg):9nC
输入电容(Ciss):300pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),确保高效的功率传输和低热损耗。
2. 逻辑电平驱动兼容性,允许直接与标准逻辑IC接口。
3. 快速开关速度,减少开关损耗并在高频操作中表现优异。
4. 高电流承载能力,支持大负载应用。
5. 强大的雪崩击穿能力,提高了系统的可靠性。
6. 小型化的表面贴装封装,便于PCB布局和高密度组装。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压调节电路。
3. 负载开关用于USB端口和电池管理系统。
4. 消费类电子产品中的电源管理和电机控制。
5. 工业设备中的信号隔离和功率放大。
6. LED驱动器以及各种便携式电子设备。
IRLML2502
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