类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：42mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：390pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：175pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：6ns
　　关断延迟时间（td(off)）：17ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

DMP2004WK-7的核心特性之一是其低导通电阻，这使得它在进行电源开关或负载控制时能够显著降低功率损耗，提高系统效率。在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为35mΩ，而在更低的驱动电压如-2.5V下也能保持42mΩ的低阻值，这意味着它可以很好地兼容3.3V甚至更低电压的逻辑控制系统，无需额外的电平转换或升压驱动电路。这种特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。
　　其次，该器件具备较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面可达-4A，脉冲电流更高达-12A，使其能够在短时间内应对较大的瞬态负载需求，例如在电机启动、LED闪光灯触发或USB端口供电过程中提供足够的电流支持。同时，其快速的开关响应时间（开启延迟约6ns，关断延迟约17ns）保证了高效的动态性能，减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统的响应速度和稳定性。
　　热性能方面，尽管DMP2004WK-7采用的是小型SOT-23封装，但其内部结构设计优化了散热路径，结合PCB上的适当布局（如增加铜箔面积），可在有限空间内实现有效的热量散发。其最大工作结温可达+150°C，具备良好的高温工作能力，适用于环境温度较高的应用场景。
　　此外，DMP2004WK-7具有较强的抗静电能力（ESD保护）和栅极氧化层耐压性，能够在装配和使用过程中抵抗一定程度的静电冲击，提升产品良率和长期可靠性。其反向传输电容（Crss）较低，有助于减少米勒效应带来的误触发风险，从而增强在高频开关应用中的稳定性。综合来看，DMP2004WK-7凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和稳健的可靠性，成为众多低电压、高效率电源管理设计中的首选P沟道MOSFET之一。

DMP2004WK-7常用于各类便携式电子产品中的电源开关和负载控制电路，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模组供电管理以及外设电源通断控制。由于其支持逻辑电平驱动且无需复杂的驱动电路，非常适合由微控制器GPIO直接控制的低边开关应用。此外，该器件也广泛应用于电池供电设备中的电池反接保护、过流保护和热插拔控制电路，以防止异常电流对系统造成损害。
　　在电源管理单元（PMU）中，DMP2004WK-7可用于实现多路电源的选择与切换，比如在双电池系统或多输入电源（如USB与适配器）之间进行自动切换。其快速响应能力和低静态功耗特性，使其在待机模式下仍能保持高效运行，最大限度地节省能耗。
　　另外，该MOSFET还可用于DC-DC转换器的同步整流部分，尤其是在降压拓扑中作为上管使用，利用其P沟道特性简化驱动设计。虽然N沟道MOSFET通常具有更低的RDS(on)，但在某些低压应用中，P沟道器件因其驱动简便而更具优势。DMP2004WK-7在此类应用中表现出良好的效率和稳定性。
　　工业和通信领域中，该器件也被用于信号路由、继电器替代、I/O扩展电路中的开关元件，以及各类传感器模块的电源门控。其SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。总之，DMP2004WK-7凭借其多功能性和高可靠性，适用于从消费电子到工业控制等多个领域的电源与信号开关应用。

DMG2302UK-7
　　AO3401A
　　FDC630P