DMP2004DMK 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和出色的开关性能,适合用于各种功率转换应用和负载开关场景。其小型封装使其非常适合空间受限的设计环境。
这款 MOSFET 通常被用作高效能电源管理解决方案的一部分,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻(典型值):6.5mΩ
栅极电荷:1.8nC
输入电容:190pF
总功耗:1.1W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
DMP2004DMK 提供了非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
它还具备快速的开关速度,能够显著降低开关损耗,这对于高频操作尤为重要。
此外,该器件拥有坚固的热性能和较高的工作温度范围,保证在恶劣环境下也能稳定运行。
其小型化的封装形式 DFN1010-2(1mmx1mm)进一步增强了设计灵活性,同时减少了 PCB 空间占用。
该芯片还集成了静电放电(ESD)保护功能,从而提高了可靠性和抗干扰能力。
DMP2004DMK 常用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及 USB Type-C 电源传输等应用场景。
由于其优异的性能表现,在智能手机和平板电脑等便携式电子产品中也有广泛应用。
同时,它也可以作为功率放大器或音频设备中的关键组件使用。
另外,该器件在 LED 驱动器和光伏逆变器等领域同样表现出色。
DMP2006DMK
DMP2008DMK
Si2305DS
FDS6662A