MA0402CG201F250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这款器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景中,能够显著提升效率并减少能量损耗。
该芯片封装形式为 TO-263,支持表面贴装技术(SMD),从而便于自动化生产和组装,同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
MA0402CG201F250 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
4. 优异的热稳定性,确保在极端温度条件下可靠运行。
5. 具备短路保护功能,增强器件的安全性和可靠性。
6. 小型化设计结合高效的散热能力,适合现代紧凑型电子产品。
这款功率 MOSFET 芯片适用于多种领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 汽车电子中的电机控制与电池管理系统。
3. 工业设备中的负载开关和继电器替代方案。
4. 家用电器中的逆变器和风扇驱动。
5. LED 照明驱动电路。
6. 数据通信领域的电信基础设施电源模块。
MA0402CG201F200
IRFZ44N
FDP5800