时间：2025/12/26 9:11:04
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DMP2002UPS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件适用于多种电源管理应用，特别是在需要紧凑设计和高效能转换的场合中表现出色。DMP2002UPS-13封装在SOT-723小型封装中，使其非常适合空间受限的应用场景，如便携式电子设备、智能手机、平板电脑以及其他消费类电子产品。该MOSFET能够在低电压下实现高效的功率控制，支持电池供电系统的优化运行。其P沟道结构允许在高端开关配置中简化驱动电路设计，无需额外的电荷泵电路即可实现良好的栅极驱动兼容性。此外，该器件具备优良的热稳定性与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业级和商业级应用的需求。DMP2002UPS-13符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合现代绿色电子产品的制造要求。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：-12V
连续漏极电流（ID）：-1.8A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：230pF @ VDS=10V
开启延迟时间（td(on)）：6ns
关断延迟时间（td(off)）：17ns
反向恢复时间（trr）：9ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-723
DMP2002UPS-13采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)典型值仅为45mΩ（在VGS = -4.5V条件下），使得该器件在大电流负载条件下仍能保持较低的温升，提升了整体热性能和长期运行的可靠性。该器件的P沟道设计特别适用于高端开关应用，在DC-DC转换器、负载开关和电源路径管理中能够有效简化驱动电路设计，避免使用复杂的电平移位或电荷泵电路。由于其快速的开关特性，包括6ns的开启延迟时间和17ns的关断延迟时间，DMP2002UPS-13可在高频开关环境中稳定运行，适用于现代高效率同步整流拓扑结构。
此外，该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，输入电容仅为230pF，减少了驱动所需的能量，从而降低了控制器的负担，尤其适合用于低功耗便携式设备中。其阈值电压范围为-0.7V至-1.0V，确保在低输入电压条件下也能可靠地开启，增强了对宽输入电压范围的支持能力。器件还具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护性能，能够在瞬态过压和静电放电事件中提供更好的保护，延长产品寿命。SOT-723超小型封装不仅节省PCB空间，而且具有优良的散热性能，通过优化布局可实现高效的热传导。整体而言，DMP2002UPS-13在性能、尺寸和可靠性之间达到了良好平衡，是现代微型化电子产品中理想的功率开关解决方案。
DMP2002UPS-13广泛应用于各种便携式电子设备中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，主要用于电池供电系统的负载开关、电源通断控制以及反向电流阻断功能。它也常用于DC-DC转换器的高端开关部分，尤其是在降压（Buck）变换器中作为主开关管或同步整流管使用，以提升转换效率并减少热量产生。此外，该器件适用于各类低电压逻辑接口的驱动电路，能够与3.3V或更低电压的微控制器直接连接，实现精确的电源域切换控制。在热插拔电路和USB电源开关中，DMP2002UPS-13凭借其快速响应特性和低导通电阻，可以有效防止浪涌电流冲击，保护后级电路安全。工业自动化传感器模块、IoT终端节点以及小型电机驱动电路中也常见该器件的身影，用于实现高效的功率分配与节能管理。由于其符合AEC-Q101可靠性标准的部分等级要求，该器件也可应用于汽车电子中的非关键性电源控制模块，如车载信息娱乐系统的辅助电源管理。总之，凡是在小尺寸、高效率和高集成度方面有需求的低压功率开关场景，DMP2002UPS-13都是一个极具竞争力的选择。
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"DMG2002UFG-7",
"FDMC8202",
"AOZ8020PI",
"RTQ2002AHGSP",
"SI2301-C-E3"
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