类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V（典型值约-0.8V）
　　输入电容（Ciss）：220pF（@ VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　功率耗散（PD）：350mW（@ TA=25°C）

DMP10H4D2S-7具备优异的电气性能与封装紧凑性，特别适合在低电压、低功耗环境中作为开关元件使用。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=-4.5V条件下RDS(on)仅为75mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。即使在较低的驱动电压下（如-2.5V），其导通电阻仍保持在100mΩ以内，确保了在1.8V或2.5V逻辑系统中的可靠开关能力。这种低门槛驱动特性使其可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度并节省了PCB空间。
　　该器件采用成熟的沟槽技术，优化了载流子迁移路径，提高了跨导和开关速度。快速的开关响应（开启延迟约10ns，关断延迟约25ns）有助于减少开关过程中的交越损耗，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载瞬态响应控制。同时，较低的输入电容（220pF）减少了栅极驱动所需的能量，进一步降低驱动电路的功耗。
　　热性能方面，尽管封装尺寸小（SOT-23），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了良好的热传导能力，最大功耗可达350mW（在25°C环境温度下）。结合-55°C至+150°C的宽工作结温范围，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围模块。此外，器件具有较强的抗静电能力（HBM ESD Rating ≥ 2kV），增强了在装配和使用过程中的可靠性。
　　安全工作区（SOA）经过严格测试，确保在瞬态过流或电压冲击下不会发生二次击穿。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，可用于续流或防止反接损坏。总体而言，DMP10H4D2S-7在小型化、效率、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是众多现代电子系统中理想的功率开关选择。

DMP10H4D2S-7广泛应用于各类便携式电子设备和嵌入式系统中，尤其适用于需要高效电源管理的小信号开关场景。常见用途包括移动设备中的电池供电路径控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关，用于启用或禁用特定功能模块以节约能耗。在这些应用中，其低静态电流和快速响应能力有助于延长电池续航时间。
　　此外，该器件常被用作电源多路复用器的一部分，实现主电源与备用电池之间的无缝切换，保障系统在主电源失效时仍能持续运行。它也适用于各类低电压DC-DC转换器电路中，作为高端开关或同步整流器，配合N沟道MOSFET完成高效的电压调节。
　　在数字逻辑接口电路中，DMP10H4D2S-7可用于电平转换或信号反相，因其支持1.8V、3.3V等多种逻辑电平，能够桥接不同电压域的IC通信。例如，在I2C总线扩展或多电压系统互联中发挥重要作用。
　　其他典型应用还包括LED驱动开关、电机启停控制、继电器驱动缓冲级、热插拔保护电路以及各种需要小型化功率开关的消费类电子产品。由于其SOT-23封装体积小巧，特别适合高密度贴装的主板设计。

DMG2302UK-7
　　FDN340P
　　ZXM61P02
　　BSS84