时间：2025/9/14 16:03:30
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BSH103,235 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等功率应用中。该器件采用小型 SOT23 封装，具有良好的热性能和高可靠性，适用于电池供电设备、电源管理和开关电路等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：100 mA
导通电阻 Rds(on)：最大 3.5 Ω（在 Vgs = 10 V）
阈值电压 Vgs(th)：最小 0.4 V，典型 0.75 V，最大 1.5 V
功耗 PD：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT23
BSH103,235 具备一系列优秀的电气特性和封装优势，使其在低压应用中表现出色。其低导通电阻确保了在导通状态下的高效能，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件的低阈值电压允许使用较低的栅极驱动电压，适用于低功耗和电池供电设备的设计。此外，BSH103,235 的 SOT23 小型封装不仅节省空间，而且具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了在不同应用环境下的可靠性。此外，该 MOSFET 还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用。Nexperia 在制造过程中严格遵循工业标准，保证了器件的高可靠性和一致性。
在实际应用中，BSH103,235 可以轻松集成到各种电路中，例如负载开关、信号切换、LED 驱动以及小型电机控制等场景。其小封装特性使其非常适合用于便携式设备和嵌入式系统设计。同时，该器件的参数特性使其在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子系统中都有广泛的应用前景。
BSH103,235 常用于多种低电压、低功率的应用场景，包括但不限于电池管理系统、手持设备电源控制、LED 照明驱动、小型马达控制、传感器接口电路、音频开关、智能卡读写器以及各类嵌入式系统的电源管理模块。由于其良好的热性能和紧凑的封装，它也适用于对空间和功耗要求较高的便携式电子设备。
BSH103,315; BSH103 NXP; 2N7002; PMV48XP; FDS6675
