时间：2025/5/12 13:06:24
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DMP1055UFDB 是一款 N 治道的增强型场效应晶体管（MOSFET），采用 UltraFET 技术设计，封装形式为 UFQFN4。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，其出色的电气性能使其成为众多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：130pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
DMP1055UFDB 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻：在典型的工作条件下，导通电阻仅为 35mΩ，从而显著降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力：得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构，此 MOSFET 能够实现快速开关，减少开关损耗。
3. 小尺寸封装：UFQFN4 封装提供了紧凑的外形，非常适合空间受限的设计。
4. 高可靠性：支持的工作温度范围广（-55°C 至 150°C），能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 优异的热性能：良好的散热设计有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
DMP1055UFDB 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流元件。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 各类负载开关及保护电路。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制。
DMP1045UFDB, DMN1055UFDB
