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DMNH6042SSDQ-13 发布时间 时间:2025/8/2 6:17:33 查看 阅读:20

DMNH6042SSDQ-13 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,具体属于 NPN-PNP 双晶体管组合类型。该器件封装在小型 SOT-26 表面贴装封装中,适用于高密度 PCB 设计。DMNH6042SSDQ-13 通常用于需要互补晶体管配置的电路中,例如推挽放大器、电平转换、开关电路和数字逻辑应用。这款器件具有良好的热稳定性和低饱和电压,适用于各种通用和高频应用。

参数

晶体管类型:NPN-PNP 双晶体管阵列
  最大集电极电流(Ic):100 mA(每个晶体管)
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V(每个晶体管)
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V(每个晶体管)
  最大功耗(Pd):300 mW
  直流电流增益(hFE):110 至 800(取决于工作电流)
  过渡频率(fT):100 MHz(最小)
  封装类型:SOT-26
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DMNH6042SSDQ-13 的主要特性之一是其互补型 NPN-PNP 晶体管组合,使得它非常适合用于推挽式放大电路和电平转换应用。每个晶体管都具有高达 50V 的集电极-发射极击穿电压,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源和信号控制场景。该器件的 hFE 值范围较宽(110 至 800),并具有良好的温度稳定性,确保在不同工作条件下仍能保持一致的性能表现。
  此外,DMNH6042SSDQ-13 的过渡频率(fT)高达 100 MHz,表明其具有良好的高频响应能力,适用于中高频信号放大和开关应用。SOT-26 封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适合高密度 PCB 布局。该器件的低饱和电压特性也提升了整体系统的效率,减少了功耗和发热问题。DMNH6042SSDQ-13 还具有较高的可靠性,符合工业级工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于严苛环境下的电子系统。

应用

DMNH6042SSDQ-13 主要应用于需要互补晶体管配置的电路中。例如,在推挽放大器设计中,NPN 和 PNP 晶体管可以协同工作,实现高效的信号放大和失真减少。该器件也广泛用于电平转换电路,特别是在数字逻辑和模拟电路之间的接口设计中,可以有效实现电压电平的匹配与转换。
  此外,DMNH6042SSDQ-13 也可用于各种开关控制电路,例如 LED 驱动、继电器控制和小型电机驱动。其高频响应能力使其适用于中频放大器和射频信号处理电路。在电源管理电路中,该器件可以用于稳压器或 DC-DC 转换器中的控制部分。在嵌入式系统和便携式设备中,由于其小型化封装和良好的性能,DMNH6042SSDQ-13 也常用于 GPIO 扩展和逻辑控制应用。

替代型号

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DMNH6042SSDQ-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥8.03000剪切带(CT)2,500 : ¥3.39607卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16.7A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 5.1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)584pF @ 25V
  • 功率 - 最大值2.1W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO