时间：2025/5/16 14:25:45
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DMNH6021SK3-13是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于低导通电阻功率MOSFET系列，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能和低损耗的电子电路中。该型号采用TO-263封装形式，具有良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：21A
导通电阻：3.8mΩ（典型值）
栅极电荷：47nC（最大值）
输入电容：1590pF（典型值）
总功耗：23W
工作结温范围：-55℃至+175℃
DMNH6021SK3-13具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其快速开关能力使其非常适合高频应用环境。
该器件具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温条件下长时间运行。
同时，它的TO-263封装设计便于安装，并提供良好的散热性能。
此外，该产品还支持多种保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，以确保系统的安全运行。
DMNH6021SK3-13广泛应用于各种功率转换场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 汽车电子系统中的电机驱动
- 工业控制设备
- 电池管理与保护电路
- LED照明驱动
IRF540N
STP36NF06
FDP15U20AE
IXTK20N10P3
