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DMNH4026SSDQ-13 发布时间 时间:2025/8/2 5:09:49 查看 阅读:22

DMNH4026SSDQ-13 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管(BJT)阵列集成电路,集成了两个独立的 NPN 晶体管。这款芯片被设计用于需要高增益、低饱和电压和快速开关特性的应用场合。其采用小型封装(如 SOT-26 或类似封装),适用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。DMNH4026SSDQ-13 是在多种电源管理、信号处理和放大应用中广泛使用的标准晶体管阵列。

参数

类型:双极性晶体管(BJT)阵列
  晶体管类型:NPN x2
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
  最大集电极电流(IC):100mA(每个晶体管)
  最大功率耗散:300mW
  电流增益(hFE):110 至 800(根据工作条件)
  频率响应:100MHz(典型值)
  封装类型:SOT-26

特性

DMNH4026SSDQ-13 的两个 NPN 晶体管具有优异的电流增益匹配特性,使其非常适合用于差分放大器或需要精确增益控制的电路中。其高频率响应能力支持其在射频(RF)前端电路和高速开关电路中的应用。此外,该器件具有低饱和电压(VCE(sat)),有助于降低功耗并提高效率。该晶体管阵列还具备良好的热稳定性和抗静电能力,确保在各种环境下的稳定运行。其封装设计紧凑,便于在小型化设备中布局和焊接。
  DMNH4026SSDQ-13 还支持多种工作温度范围,通常为 -55°C 至 150°C,适用于工业级和汽车级应用。每个晶体管的基极、集电极和发射极引脚都独立引出,便于用户根据具体需求进行配置,例如共射、共基或共集放大电路。

应用

DMNH4026SSDQ-13 常用于便携式电子产品中的信号放大、电平转换、逻辑接口和开关控制。在通信系统中,它可作为射频信号放大器或混频器使用。在传感器电路中,该器件可用于信号调理和驱动输出。此外,DMNH4026SSDQ-13 也广泛应用于音频放大器、LED 驱动电路、模拟开关以及各类嵌入式控制系统中。

替代型号

DMNH4026SSDQ-13 的替代型号包括 BC847BS、MUN5211DW1 和 DMMT3904L。这些型号在功能和参数上与 DMNH4026SSDQ-13 相似,但可能在封装形式或电气特性上略有差异,使用时需确认其是否符合具体应用需求。

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DMNH4026SSDQ-13参数

  • 现有数量0现货5,000Factory查看交期
  • 价格2,500 : ¥2.74272卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1060pF @ 20V
  • 功率 - 最大值-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO