时间：2025/12/26 12:28:42
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DMNH10H028SPSQ-13是一款高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，相较于传统硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和热性能方面具有显著优势。DMNH10H028SPSQ-13由Dialog Semiconductor（现被Renesas Electronics收购）推出，属于其GaNFast?功率器件系列，旨在满足数据中心电源、无线充电、太阳能逆变器、工业电源以及高端消费类电源适配器等对功率密度和能效要求严苛的应用需求。该器件通常采用紧凑型表面贴装封装，具备良好的热管理能力，支持高速开关操作，从而减小磁性元件和电容的尺寸，有助于实现更小型化、轻量化的电源系统设计。此外，该器件集成有驱动电路和保护功能（如过流保护、过温保护等），提升了系统的可靠性与安全性，简化了终端产品的设计复杂度。其设计符合RoHS环保标准，适用于自动化生产流程，确保在大规模制造中的稳定性和一致性。
型号：DMNH10H028SPSQ-13
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：28A
脉冲漏极电流（ID_pulse）：110A
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ
栅极阈值电压（Vth）：1.5V（典型值）
输入电容（Ciss）：4500pF
输出电容（Coss）：1200pF
反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：PQFN 8x8mm
安装类型：表面贴装
开关频率：支持高达1MHz以上
驱动电压：典型5V逻辑兼容
DMNH10H028SPSQ-13的核心优势在于其基于氮化镓材料的增强型HEMT结构，实现了极低的导通电阻与寄生电容，从而大幅降低导通损耗和开关损耗。该器件具备零反向恢复电荷（Qrr = 0），因为它不依赖传统的PN结体二极管，而是通过沟道反向导通，彻底消除了因体二极管反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰问题，特别适合硬开关和高频软开关拓扑，如LLC谐振转换器、图腾柱PFC等。其快速开关能力（上升/下降时间在纳秒级）使得电源系统可以在更高频率下运行，进而减小变压器、电感和滤波电容的体积，提升功率密度。
该器件集成了智能驱动与保护功能，包括内置栅极驱动器、过流保护（OCP）、过温关断（OTP）以及欠压锁定（UVLO），有效防止因异常工况导致的器件损坏。这种“集成化”设计理念不仅提高了系统可靠性，还降低了外部元件数量，减少了PCB布局复杂度和设计风险。其PQFN封装具备优良的热传导性能，底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB，提升整体散热效率。此外，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，有利于电流均衡，避免热失控问题。
DMNH10H028SPSQ-13针对高频电源优化，具有极低的开关延迟和传播时间偏差，确保多相或多器件并联应用中的精确时序控制。其栅极驱动电压通常为5V，兼容CMOS/TTL逻辑电平，便于与主流控制器接口。器件在整个工作温度范围内保持稳定的电气性能，适合工业级和宽温环境应用。此外，该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温高压栅极偏置（HTGB）、高温反向偏置（HTRB）等，确保长期运行的稳定性与耐久性。
DMNH10H028SPSQ-13广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。典型应用场景包括数据中心服务器电源单元（PSU），其中高频图腾柱无桥PFC和LLC谐振转换器需要高效、低损耗的开关器件以实现98%以上的转换效率。在电信整流器和基站电源中，该器件有助于提高系统能效并减少冷却需求。在太阳能微型逆变器中，其高频能力支持高带宽MPPT控制和紧凑型滤波设计，提升能源转换效率。此外，该器件适用于高端笔记本电脑和手机的快充适配器（如GaN充电器），支持65W甚至更高功率等级的PD快充方案，显著缩小适配器体积和重量。
在工业领域，DMNH10H028SPSQ-13可用于工业电源、焊接设备、激光驱动电源等高功率密度应用。在电动汽车充电基础设施中，车载充电机（OBC）和直流充电桩的DC-DC转换模块也可受益于其高效开关特性。此外，该器件适用于无线充电发射端，特别是在多设备、高功率无线充电平台中，高频操作能力可提升耦合效率并降低发热。在测试与测量设备、高端音频放大器电源、LED大屏供电系统等对噪声和效率敏感的应用中，该器件也能提供卓越的性能表现。
DMP10H028SQ-13
GAN50E-T1-03
GS-065B25-LS
