SKM22GAL123D 是一款由 SEMIKRON(西门康)制造的 IGBT 模块,广泛用于高功率电子设备中。该模块集成了多个 IGBT 和反并联二极管,适用于需要高效能和高可靠性的应用,如工业电机驱动、变频器和电源系统。
类型:IGBT 模块
拓扑结构:半桥
额定电压:1200V
额定电流:22A
导通压降:约1.5V(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:DIP
短路耐受能力:支持
绝缘等级:符合相关标准
SKM22GAL123D 具有优异的电气性能和热管理能力,采用了先进的 IGBT 技术,确保了低导通损耗和开关损耗。该模块的封装设计提供了良好的绝缘性能和机械稳定性,适用于严苛的工作环境。此外,其半桥拓扑结构允许灵活的电路设计,并支持高频率开关操作,提高了系统的整体效率。模块内部集成的反并联二极管进一步简化了外围电路的设计。
IGBT 模块的结构采用了多层设计,确保了电流的均匀分布,降低了热阻,提高了散热效率。模块的外壳采用高强度工程塑料,具有优异的耐高温和抗老化性能,确保了长期使用的可靠性。此外,该模块还具备良好的短路保护能力,能够在异常情况下保护系统不受损坏。
SKM22GAL123D 主要应用于工业自动化控制、电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电动汽车充电系统等领域。其高可靠性和高效能特性使其成为需要高功率密度和高性能控制的系统的理想选择。
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