时间：2025/8/2 6:39:24
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DMN67D8LW-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高效率、低电压应用，适用于电源管理和负载开关等场景。该MOSFET采用小型化的TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装技术，具有较低的导通电阻和良好的热性能，使其在紧凑型电源设计中表现出色。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-6.7A
导通电阻（RDS(ON)）：23mΩ（在VGS = -4.5V时）
导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ（在VGS = -2.5V时）
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TDFN
DMN67D8LW-7具备多项优异特性，使其在低压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。在VGS为-4.5V时，RDS(ON)仅为23mΩ，而在VGS为-2.5V时也保持在28mΩ的较低水平，这使得该器件能够在低电压条件下依然保持高性能。
其次，该MOSFET采用TDFN封装，具有良好的散热性能，适用于空间受限的高密度电路设计。该封装还支持双面散热，有助于提升整体热管理能力，确保在高电流负载下的稳定运行。
此外，DMN67D8LW-7的栅极驱动电压范围宽广，支持从-2.5V到-4.5V的栅极电压，这使其适用于多种电源管理应用，包括电池供电设备和DC-DC转换器。其最大漏极电流为-6.7A，在适当的散热条件下能够支持较高的功率输出。
该器件的可靠性和稳定性也经过严格测试，能够在-55°C至150°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多样化场景。
DMN67D8LW-7广泛应用于各种电源管理系统中，特别是在需要高效率和低电压操作的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动电路等。其低导通电阻和紧凑型封装使其成为便携式电子设备、笔记本电脑、平板电脑和智能手机等产品中的理想选择。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明控制模块和车载信息娱乐系统中的电源管理单元。
Si4435BDY, FDS6680, AO4414, DMN67D8LC
