时间：2025/12/26 10:38:28
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DMN67D8LW-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，适用于低电压和低功率应用场合。该器件设计紧凑，具有优异的开关特性和较低的导通电阻，适合用于便携式电子设备中的电源管理与信号切换功能。由于其小型化封装和高性能表现，DMN67D8LW-13广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及各类电池供电系统中。该MOSFET在栅极驱动方面兼容逻辑电平信号，能够直接由微控制器或其他数字电路驱动，简化了系统设计并减少了外围元件数量。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：-700mA
脉冲漏极电流（Idm）：-1.4A
导通电阻（Rds(on)）：最大550mΩ @ Vgs = -4.5V
导通电阻（Rds(on)）：最大750mΩ @ Vgs = -2.5V
阈值电压（Vgs(th)）：典型值-1V，范围-0.6V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：约125pF
输出电容（Coss）：约60pF
反向传输电容（Crss）：约20pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
DMN67D8LW-13具备出色的导通性能和快速开关响应能力，其低导通电阻确保在负载电流下实现最小功耗，从而提高整体能效。该器件在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下均能稳定工作，尤其适合3.3V或更低电压系统的逻辑控制接口。其较小的封装尺寸使得它非常适合高密度PCB布局，在空间受限的应用中表现出色。器件的热稳定性良好，能够在宽温度范围内保持可靠的电气性能。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷和米勒电容，有助于减少开关损耗，提升高频开关应用中的效率。内部结构优化降低了寄生参数的影响，提高了抗噪声干扰能力。该器件还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在实际使用环境中的鲁棒性。制造过程中采用先进的沟槽技术，提升了单位面积下的电流承载能力，并确保产品的一致性和长期可靠性。所有这些特性共同使DMN67D8LW-13成为中小功率开关应用的理想选择。
除了电气性能优势外，该器件还具备出色的工艺一致性和批次稳定性，适合自动化贴片生产流程。SOT-23封装不仅体积小，而且引脚间距适中，便于回流焊和波峰焊工艺实施。同时，该封装具有良好的散热性能，可通过PCB走线有效导出热量，避免局部过热问题。对于需要频繁启停或动态负载调节的应用场景，如LED调光、电机驱动或电源选通控制，该MOSFET能够提供稳定的开关行为和较长的使用寿命。其P沟道特性使其常用于高端开关配置，特别是在负载接地而电源需要被切断的电路中发挥关键作用。
主要用于便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等。在这些设备中，DMN67D8LW-13常用于电池供电路径的通断管理，以实现节能待机或系统关断功能。此外，它也广泛应用于各类DC-DC转换器的同步整流或负载开关模块中，帮助提升转换效率并降低静态功耗。在信号路由和多路复用电路中，该器件可用于模拟或数字信号的切换操作。工业控制领域的传感器模块、小功率继电器驱动电路以及USB端口的过流保护开关也是其典型应用场景。由于其良好的温度适应性和稳定性，该MOSFET还可用于汽车电子中的非动力系统，如车内照明控制、信息娱乐系统电源管理等。另外，在物联网设备和无线传感节点中，该器件有助于实现超低功耗运行模式下的电源门控策略，延长电池续航时间。
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"DMG2304LUD-7",
"FMMT718",
"NSS40302MZT1G",
"SI2301ADS-S17-3"
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