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DMN67D7L 发布时间 时间:2025/6/21 4:55:29 查看 阅读:4

DMN67D7L是一款由Diodes公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等。其出色的性能使其成为高效率和小尺寸设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:125pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

DMN67D7L具备非常低的导通电阻,这有助于降低传导损耗并提高整体效率。此外,它还拥有快速的开关速度,能够减少开关损耗,并且支持高频操作。由于采用了先进的制造工艺,这款MOSFET在热稳定性和可靠性方面表现出色,非常适合要求苛刻的应用环境。
  它的紧凑型SO-8封装也使得PCB布局更加灵活,同时有助于节省宝贵的电路板空间。

应用

DMN67D7L主要应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等领域。凭借其低导通电阻和高效能表现,它可以显著提升各类电子设备的能源利用效率。例如,在笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式电子产品的电源管理系统中,该元件可以发挥关键作用。

替代型号

DMN67D7LFTQ, DMN67D7LLSQ

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